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人工智能半导体技术路线图三星电子公布。

发布日期:2024-10-10  浏览次数:

人工智能半导体技术路线图三星电子公布。

人工智能半导体技术路线图三星电子公布。

韩国科技日报记者 薛严

近日,三星电子在美国硅谷举办了“2024年三星代工论坛”,这意味着2027年将引入尖端晶圆代工技术,推出两个新的工艺节点,形成包括人工智能半导体研发、代工生产和组装在内的全过程解决方案。

三星电子表示,目前正在开发高性能、低能耗的人工智能半导体产品,与现有技术相比,通过封装晶圆代工非内存半导体和高带宽内存的集成解决方案,从R&D到生产的耗时可以减少20%左右。

三星电子表示,目前正在开发高性能、低能耗的人工智能半导体产品,与现有技术相比,从R&D到生产的耗时可以减少20%左右,通过封装晶圆代工非内存半导体和高带宽内存的集成解决方案。具体技术路径如下:2027年三星电子将采用背面供电网络技术(工艺节点SF2Z)在2纳米工艺中。该技术可以将芯片的供电网络转移到晶圆背面,与信号电路分离,从而简化供电路径,减少供电电路对互联信号电路的干扰。如果在2纳米工艺中使用这种技术,不仅可以提高功率、性能和面积等参数,还可以显著降低电压,从而提高高性能计算设计性能。此外,三星电子还计划在2027年将低能耗、高速数据处理性能的光学元件技术应用于人工智能解决方案。

三星电子认为,人工智能时代需要高性能、低能耗的芯片。它们将通过环绕式栅极工艺、光学元件等与人工智能芯片适应度最高的技术来满足这一需求。为了达到这个目的,三星电子将于2025年在4纳米工艺中采用“光学收缩”技术(制程节点SF4U)进行量产,可以使芯片体积更小。

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